2006年11月19日

MOSトランジスタの電流の式1

2年ぶりのピッコロ大魔王の復活。ピッコロは電流の流れじゃなくて、世界のお金の流れを勉強しておりました。ちょいと時間が出来たので続きを。

しかし、完全に浦島太郎なので、以前以上に正確性を欠いていると思い、その辺は悪しからず。一応スパム、広告系のコメントやらトラックバックはちょくちょく削除していたので、たまにチェックをしていましたが、なにやら一生懸命書いていた2年前よりも日々のアクセスが多いようです。なんでだろ?

ちなみに、だいーぶ前にどなたかもコメントしていましたが、教えてクンが増えてきたようですが、もはやピッコロは完全に呆けてしまい質問に答えられないのと、その程度はいくら初心者でも自分で調べてよというような質問が多いので、基本的によほど気が向かないと回答は出せない状態です。

ただ、今までのコメントを見ていると、親切な方が「どこを調べればよい」とか「どこに載っている」というようなコメントも含めて答えれおられるようなので、今後も善意の回答者に任せたいと思います。

さて、本題。
まずは、最初の図を見てもらおう。
MOSWL.gif

まずは、MOSトランジスタの電流の式を導く上での、必要な構造上のパラメータがある。ここではn型のMOSを例に取る。
図のLが一般にゲート長と呼ばれるもので、最重要パラメータだ。Wはゲート幅。さらにゲート酸化膜の厚さがtoxとなる。ちなみにゲートの実効長と実効幅ってのがあるけど、そいつは一連の話が終わってからかな。

で、端子の記号はゲート電極はVgs、ドレイン電極はVds、それぞれゲートとサブ(基板)、ドレインとsubの電位差だ。ソースは通常グランドに落としていて、subもリンクさせている。ここではsubの端子が出ていないが本来はそういうもんだと思ってほしい。つまりsourceとsubがgroundに落ちているわけだ。ただ、わざとsubをFloatingの状態にしていたりすることもあるので、その辺は一応頭の片隅にでも留めていてほしい。

まあ、一般に半導体のエンジニアならこの図は頭に入っているから、再掲する必要は無いが、だいたいMOSトランジスタの特性の話をするときにはこの図と、この端子構造がベースになるのでよーく覚えていてほしい。っていうか、みんな知っているか?

久しぶりに書いたので、まずはこの辺で終了。
posted by ピッコロ大魔王 at 12:36| Comment(1) | TrackBack(0) | デバイス | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
この記事へのコメント
はじめまして、御復活おめでとうございます。

私は半導体メーカが顧客の商売をしておりますが、このブログで半導体のイロハを学んだと言っても過言ではありません。
今後とも気ままなペースで結構ですから更新してくださいませ。
Posted by ←nis at 2006年11月19日 18:08
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