2004年06月16日

多層配線

今回は予告通り2層メタルのところを大急ぎで突っ走る。
多層配線の基本は2層配線で、層が増えるごとに平坦化に気を使うだとかいろいろあるが、ほぼ2層メタルのプロセスの組み合わせだと思えばよいだろう。

話は、メタルエッチまで戻り、そこからの続きで以下の図になる。

Etchback

まずは、ステップ1でSiO2を乗っける。こいつはノンドープのSiO2でCVD膜だ。TEOS(TetraEthOxySilane)という液体を使った膜などが層間絶縁膜では良く使われる。Si(OC2H5)4とこんな組成だ。こいつを使ってCVDのように成膜する。通常、TEOSというとTEOS膜のことをさす場合が多い。

図ではつぎのEtch Backを分かりやすくするために、わざわざ凸凹を強調した。そして、ステップ2でEtch BackのためのResistを全面に塗布する。次の図を見てもらおう。

Etchback2

ステップ3は上からDry Etchの装置でバーっとエッチングしていった途中の状態。上のほうのへこみにわずかにResistが残っていて、徐々に平坦化がされているのが分かるだろう。そして、ステップ4で完全にまっ平ら。実際にはこのように完璧な状態になるわけでもないが、凸凹の強調にしろ、模式的に分かりやすいようにこのようにした。

4層メタルなどのさらなる多層配線の場合はCMPを使う場合が多いかもしれない。

図が多いのでいったんここで区切る。
posted by ピッコロ大魔王 at 09:26| Comment(0) | TrackBack(0) | Etching | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
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