2004年06月03日

Pch S/D

さて、修正後に気を取り直して、通常版第1弾。

今回はPch S/Dの工程に入る。この工程でやることはMaskをかける場所がPch部分のActiveからNch部分のActiveに変わって、他はImplaのソースがB(ボロン)変わるだけなので、プロセスの説明的には超短縮バージョンで行く。いっきに今回でAneal後まで終わる。

以下の図を見てもらおう。

Pch S/D

いきなり短縮で、全面Resist塗布をし、その後露光、Developと終了した状態がステップ1。ここまでの流れが分からない場合はNch S/D Photoを参考に。

そして、B(ボロン)全面Implaする。ここまでで、ステップ2。ちなみにこの場合もDose量にして15乗オーダーである。ところでNch S/D Implaのときには述べなかったが、S/DのImplaでも加速エネルギーはB(ボロン)で30keV程度、P(リン)で60keV程度である。まあ、これもバッファーにしている酸化膜の厚さとか、ターゲットとする打ち込み深さによって決まるので、一概には言えないが、だいたい同じようなプロセスルールだったらどこの会社でもどこの工場でもそう大きく条件に違いはない。だって、装置がどこも同じような装置だからね。

そういえば、今までImplaの話をしてきて一度も触れずに言い忘れていたことがある。実はImplaは図の説明でも真上から打ち込まれるように書いているが、正確には一般的に打ち込み角度は7度〜10度ほど傾いている。そうしないとSiの結晶格子の関係で均一に中に入っていかないのだ。最も一般的な角度は7度だと思うが、これは、真上から打つのを0度として、ウェハーを固定するプレートを7度傾けることによって行う。Implaの場合枚様式で1枚1枚処理をする。

ただし、ごくまれに例外的に0度でImplaしなければいけない場合がある。それはあまりにパターンが細かく窓がものすごい小さいば場合は、7度傾けるとイオン種が基板まで届かないということが起こるからだ。確か、EPROMだとかEEPROMを作るときなんかがそうだったと思う。

ま、こんな感じになっちゃうわけだ。

7度Impla

話を戻して、Impla後Resistを除去し、拡散前洗浄を行いAnealをした状態がステップ3。このときのAnealはNchのところでも述べたように、B(ボロン)が拡散しやすいので、あまり長時間は行わない。この後は基本的に高温熱処理はなかったはずなので、他のプロセスでPch S/D ImplaのAnealをかねてしまうことはできないはずなのだが、なんとなくこのPch S/DのAnealはやらない場合もあるような気もする。この辺はよく覚えていない。

実は、Nch S/DとPch S/Dのプロセスの順番が、Nchを先にやっているという理由がこの辺にある。つまり、PchのImplaを先にやってしまうと、NchのImpla後のAnealでB(ボロン)が必要以上に拡散されてしまうということだ。

まあ、このAnealも最先端ではレーザーのようなものでやってしまうこともあるようなので、最近ではあまり気にしなくてもよいのかもしれない。

これで、トランジスタのS/Dを形成する一連のプロセスが終了。この後は絶縁膜(簡単に言うとSiO2)をCVDで積んでいくプロセスに入る。
posted by ピッコロ大魔王 at 10:20| Comment(0) | TrackBack(0) | Photolitho | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
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