2004年06月02日

Nch S/D Photo

修正版

さて、いきなり今回はNchトランジスタのS/DのPhoto工程に入る。

以下の図を見てもらおう。

NchS/DPhoto

まずステップ1は前回のポリシリコン酸化後の状態。きれいにPolyの電極が酸化膜で覆われている。そして、次はResistを全面塗布する。これでステップ2。

そして、ここからNch S/Dのマスクで露光し、Developまで終わるとステップ3のようになる。このステップ3の図を見てもらうと、Nwell側のActive AreaはResistで覆われていて、Psub側のActive AreaはOpenになっているのが分かる。

これは分かっている人には当たり前なのだが、いきなりの初心者には分かりづらかったりする。このNch S/Dの工程はそもそもNchトランジスタのS/D(ソース/ドレイン)を作るためのものであり、この後N+の領域をインプラで形成していく。そして、Nchトランジスタを作るAreaというのがPsub側のActive Areaなわけだ。N型の基板に対してNchのトランジスタを作ってもただの抵抗にしかならないからね。

そんなわけでNchのトランジスタを作るときは、Psub側のActive Areaだけに窓を開けて、Nwell側はResistで覆うことになる。そして、このときの窓の開け方は、Psub側のActive Areaから外側に何μという具合に、Active Areaよりも少し大きめに窓を開ける。このステップ3の一番右のField酸化膜の上にちょこっとResistを残してあるが、真ん中のFiled酸化膜の上からここまでが窓の開いているAreaだ。こういうのをSelf Align(セルフアライン)なんて呼んでいる。Active Areaで勝手に自己整合してくれるというわけだ。

で、いよいよImplaにはいるわけだが、今回はこれでおしまい。次回に続く。
posted by ピッコロ大魔王 at 10:27| Comment(0) | TrackBack(0) | Photolitho | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
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