2004年05月24日

フィールドインプラ2

さてさて、前回の続きである。今回はインプラするところから。
以下の図を見てもらおう。

FieldImpla

Psub上のアクティブアリア回りにかたどったところだけに、窓が開いている。この状態で上から全面インプラをする。インプラするイオン種はB(ボロン)で、濃度的にはNwellのときのP(リン)より1ケタ多いぐらいが一般かな。Nwellが10の12乗台であれば、フィールドインプラはだいたい10の12乗の後半から13乗台じゃないだろうか。

インプラの加速エネルギー的には、Wellのときよりは少なく押さえる。これは、間違ってもActiveエリアのNitride膜を突っ切ってインプラされては困るからだ。NwellなどはP(リン)で原子的にもB(ボロン)より重たいので、例えばPを60keVぐらいでインプラするとして、ちょうど表面近傍に打ち込むとすると、フィールドインプラのBの場合は、だいたい30keVぐらいのエネルギーだったと思う。重さが倍ぐらい違うからね。まあこれはプロセスによって違ってくるのでだいたいの目安だ。つまり、Nitride膜の厚さや酸化膜の厚さは、工場や製品の種類、プロセスルールによって変わってくるので、それにあわせて逆算して打ち込み深さを決めるドーズエネルギーを設定している。

こうして、インプラが終わり、レジストも取っ払ってしまうと、ステップ3のようになる。Psub側のアクティブエリアの周りのわずかな表面部分にだけB(ボロン)が注入されている。

これで、前準備はほぼ終わりで、いよいよField酸化膜をつける工程になる。が、今回はここまで。次回はField酸化からである。
posted by ピッコロ大魔王 at 09:23| Comment(0) | TrackBack(0) | Impla | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
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