2004年05月21日

フィールドインプラ

さてさて、今回は久しぶりにプロセスステップに戻る。前回のActive工程の続きからである。

次の図を見てもらおう。

FieldPhto

これは前回のNitride膜のエッチング後に、レジストを取っ払った後のところから始まっている。ちゃんとSiNのパターンが一番上にできている。

この後、すぐにField酸化膜を作るための酸化工程に入るわけではない。すぐに入っていい場合もあるかもしれないが、一般的には酸化の前にFieldインプラなるものをする必要がある。これは以前少し触れたが、結果的にできてしまう寄生トランジスタであるFieldトランジスタをONさせにくくするためのものだ。

Psubの基板の場合Field酸化膜のできるところの基板濃度をすこしPタイプ側に濃くするのだ。なかなかイメージしづらいとは思うが、最後の出来上がりになると分かるのでそれまで我慢して頂戴。

ちなみにNWell領域でも、Nタイプ側に少し基板濃度を濃くするためにNタイプのFieldインプラをすることもあるが、一般的にはPsub側だけなのでここでもそのように進める。オプションとしてNタイプFieldもあると頭の片隅にでも置いておけばよい。

図のステップ2,3でレジストをひいてパターン加工する。するとPタイプ側のActive領域の外側から大きく窓が開くでしょう。

図が入るとえらく縦長になることが分かったので、今回は出し惜しみして、これでおしまい。次回はインプラするところから。
posted by ピッコロ大魔王 at 09:51| Comment(0) | TrackBack(0) | Photolitho | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
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