2004年05月18日

Active

今回は一歩前進してActive(アクティブ)工程である。トランジスタを作成する領域を作る一連の工程、LOCOS工程の本丸である。

前回のプロセスステップ図の続きから始めるとしよう。以下の図を参照。

Active

前回はNitride膜をつけたところで終わったが、その続きからである。
まず、例によってPhotolitho工程のところでやったように、レジストを全面に塗布する。その後、露光、デベロップと行い、レジストパターンを形成する。Activeのマスクをあわせるパターンは、Wellのところで説明したように、Siウェハーの段差で作ったWellマスクのパターンである。ここまでで、ステップ2である。

そして、ここで形成したActiveマスクのパターンの通りにNitride膜のエッチングを行う。ここでのエッチングは以前説明した、ドライエッチを使う。この場合、Nitride膜だけを選択的にエッチングするわけだ。ドライエッチというのは反応ガスをプラズマ状態にして、ウェハーの基板に上から加速してぶったたきながらエッチングする。

こうして出来上がったActiveパターンの線幅測定をして、このActiveエッチの工程は終わりになる。実はこのときの線幅測定は後で出てくるPolySiつまりゲート電極の線幅とともに非常に重要である。なぜなら、このActiveのサイズがトランジスタのW(幅)を決定し、それによって電流の流れる量が変わってくるからである(抵抗が変わるというべきかな)。

これでステップ3は終わり。

次はちょっと、寄り道してドライエッチの話をしよう。
posted by ピッコロ大魔王 at 10:13| Comment(2) | TrackBack(0) | Photolitho | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
この記事へのコメント
毎回勉強させてもらっております。
さらに深掘りして頂ければと考えております。


Posted by 河原芳博 at 2004年05月25日 09:39
ご希望に添えるかどうか分かりませんが、まずはデバイス物理までの基礎を素人向けにやって、その後匠の技などをと考えていたのが、当初のイメージです。

今後もこの基本線でいこうと思っていますので、専門の方には多少物足りないかもしれませんね。
Posted by ピッコロ大魔王 at 2004年05月25日 10:30
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